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• 010 __ |a 978-7-5606-6430-9 |b 精装 |d CNY128.00

• 100 __ |a 20230216d2022 em y0chiy50 ea

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• 200 1_ |a 氧化镓半导体器件 |A yang hua jia ban dao ti qi jian |d = Gallium oxide semiconductor devices |f 龙世兵, 叶建东, 吕元杰著 |z eng

• 210 __ |a 西安 |c 西安电子科技大学出版社 |d 2022

• 215 __ |a 396页, [4] 页图版 |c 图 (部分彩图) |d 25cm

• 225 2_ |a 宽禁带半导体前沿丛书 |A kuan jin dai ban dao ti qian yan cong shu

• 300 __ |a 国家出版基金项目

• 330 __ |a 本书共分为7章，第1-4章(氧化镓材料部分)介绍了氧化镓半导体材料的基本结构，单晶生长和薄膜外延方法，电学特性，氧化镓材料与金属、其他半导体的接触，氧化镓材料的刻蚀、离子注入、缺陷修复等内容；第5-7章(氧化镓器件部分)介绍了氧化镓二极管器件的应用方向、器件类型及其发展历程，氧化镓场效应晶体管的工作原理、性能指标、器件类型、发展历程以及今后的发展方向，氧化镓日盲深紫外光电探测器的工作原理、器件类型、成像技术等。

• 410 _0 |1 2001 |a 宽禁带半导体前沿丛书

• 510 1_ |a Gallium oxide semiconductor devices |z eng

• 606 0_ |a 氧化镓 |A yang hua jia |x 半导体器件

• 690 __ |a TN303 |v 5

• 701 _0 |a 龙世兵 |A long shi bing |4 著

• 701 _0 |a 叶建东 |A ye jian dong |4 著

• 701 _0 |a 吕元杰 |A lv yuan jie |4 著

• 801 _0 |a CN |b HDUL |c 20230413

• 905 __ |a HDUL |d TN303/447

• 920 __ |a 233030 |z 1