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• 000 01453nam0 2200313 450

• 001 0000929933

• 005 20240509103400.0

• 010 __ |a 978-7-111-74188-6 |d CNY189.00

• 100 __ |a 20240131d2024 em y0chiy50 ea

• 101 1_ |a chi |c gre |c eng

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a ak z 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 碳化硅器件工艺核心技术 |A tan hua gui qi jian gong yi he xin ji shu |f (希)康斯坦丁·泽肯特斯(KonstantinosZekentes)，(英)康斯坦丁·瓦西列夫斯基(KonstantinVasilevskiy)等著 |g 贾护军，段宝兴，单光宝译

• 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社 |d 2024

• 215 __ |a 16,411页 |c 图 |d 24cm

• 225 1_ |a 半导体与集成电路关键技术丛书 |A Ban Dao Ti Yu Ji Cheng Dian Lu Guan Jian Ji Shu Cong Shu

• 300 __ |a 机工电子

• 330 __ |a 本书共9章，以碳化硅(SiC)器件工艺为核心，重点介绍了SiC材料生长、表面清洗、欧姆接触、肖特基接触、离子注入、干法刻蚀、电解质制备等关键工艺技术，以及高功率SiC单极和双极开关器件、SiC纳米结构的制造和器件集成等，每一部分都涵盖了上百篇相关文献，以反映这些方面的最新成果和发展趋势。

• 606 0_ |a 功率半导体器件 |A Gong Lv Ban Dao Ti Qi Jian |x 研究

• 690 __ |a TN303 |v 5

• 701 _0 |c (希) |a 泽肯特斯 |A ze ken te si |c (Zekentes, Konstantinos) |4 著

• 701 _0 |c (英) |a 瓦西列夫斯基 |A wa xi lie fu si ji |c (Vasilevskiy, Konstantin) |4 著

• 702 _0 |a 贾护军 |A jia hu jun |4 译

• 702 _0 |a 段宝兴 |A duan bao xing |4 译

• 702 _0 |a 单光宝 |A dan guang bao |4 译

• 801 _0 |a CN |b HDUL |c 20240509

• 905 __ |a HDUL |d TN303/322

• 920 __ |a 233030 |z 1