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• 000 01586nam 2200337 450

• 001 0000830141

• 005 20210924152200.0

• 010 __ |a 978-7-03-068516-2 |d CNY145.00

• 100 __ |a 20210802d2021 em y0chiy50 ea

• 101 0_ |a chi

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a ak a 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 硅锗低维材料可控生长 |A gui zhe di wei cai liao ke kong sheng zhang |f 马英杰 ... [等] 著

• 210 __ |a 北京 |c 科学出版社 |d 2021

• 215 __ |a 255页 |c 图 |d 24cm

• 225 2_ |a 先进功能材料丛书 |A xian jin gong neng cai liao cong shu

• 304 __ |a 著者还有: 蒋最敏, 周通, 钟振扬

• 312 __ |a 英文并列题名取自封面

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书首先介绍低维异质半导体材料及其物理性质，概述刻蚀和分子束外延生长两种基本的低维半导体材料制备方法，说明了分子束外延技术设备的工作原理和低维异质结构的外延生长过程及其工艺发展。接着分别从热力学和动力学的角度阐述了硅低维结构的外延生长机理及其相关理论，重点讨论了图形衬底上的硅锗低维结构可控生长理论和硅低维结构的可控外延生长技术，并结合丰富的硅锗纳米结构可控生长实例，讨论图形硅衬底和斜切硅衬底上低维材料的可控外延生长及其生长机理。最后，介绍可控硅锗低维结构的光电特性及其器件与集成应用研究，并展望基于可控外延生长量子点的新型器件。

• 410 _0 |1 2001 |a 先进功能材料丛书

• 510 1_ |a Controllable growth of low-dimensional SiGe materials |z eng

• 606 0_ |a 半导体材料 |A ban dao ti cai liao |x 纳米材料 |x 研究

• 690 __ |a TN304 |v 5

• 701 _0 |a 马英杰 |A ma ying jie |4 著

• 701 _0 |a 蒋最敏 |A jiang zui min |4 著

• 701 _0 |a 周通 |A zhou tong |4 著

• 801 _0 |a CN |b HDUL |c 20210924

• 905 __ |a HDUL |d TN304/744

• 920 __ |a 233030 |z 1