机读格式显示(MARC)

• 000 01294nam0 2200277 450

• 001 0000722268

• 005 20190322102400.0

• 010 __ |a 978-7-302-50529-7 |b 精装 |d CNY139.00

• 100 __ |a 20181012d2018 ekmy0chiy50 ea

• 101 0_ |a chi

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a afk a 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 抗辐射集成电路设计理论与方法 |A Kang Fu She Ji Cheng Dian Lu She Ji Li Lun Yu Fang Fa |d = Design theories and methods of radiation-hardened CMOS integrated circuits |f 高武著 |z eng

• 210 __ |a 北京 |c 清华大学出版社 |d 2018

• 215 __ |a 308页, [8] 页图版 |c 图 (部分彩图) |d 27cm

• 314 __ |a 高武, 西北工业大学教授, 2011年获得法国斯特拉斯堡大学微电子学博士学位, 主要研究方向包括抗辐射集成电路设计、空间嵌入式系统设计等。

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书综合国内外关于辐射效应、损伤机理和辐射加固设计技术方面的资料, 对抗辐射集成电路设计概念、基础理论和相关技术等进行全面总结和论述。本书内容分为十三章, 辐射环境介绍, 辐射相互作用物理过程, 电力总剂量效应, 位移损伤效应, 单粒子效应等。

• 510 1_ |a Design theories and methods of radiation-hardened CMOS integrated circuits |z eng

• 606 0_ |a 抗辐射性 |A Kang Fu She Xing |x 集成电路 |x 电路设计

• 690 __ |a TN402 |v 5

• 701 _0 |a 高武 |A Gao Wu |4 著

• 801 _0 |a CN |b HDUL |c 20190322

• 905 __ |a HDUL |d TN402/0102

• 920 __ |a 233030 |z 1