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• 010 __ |a 978-7-03-069683-0 |d CNY108.00

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• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 氮化铝晶体材料生长与应用 |A dan hua lv jing ti cai liao sheng zhang yu ying yong |f 宋波, 韩杰才, 刘梦婷编著

• 210 __ |a 北京 |c 科学出版社 |d 2021

• 215 __ |a 198页 |c 图 |d 24cm

• 306 __ |a 国家科学技术著作出版基金资助出版

• 312 __ |a 英文并列题名取自封面

• 320 __ |a 有书目和索引

• 330 __ |a 氨化铝 (AIN) 是一种典型的Ⅲ-V族氮化物半导体材料。氮化铝拥有热导率高、热膨胀系数低、介电常数高、抗腐蚀能力强、热力学稳定性高等优异特性。本书系统、深入地介绍了氮化铝晶体的基本性质、生长方法和具体应用。全书分为7章: 第1章是绪论, 介绍了第一、二、三代半导体材料的基本概念、性质和应用; 第2-6章主要介绍了氮化铝晶体的基本特性, 低维氨化铝纳米材料、氮化铝薄膜和氮化铝晶体的制备方法, 以及三元合金及掺杂改性; 第7章主要介绍了氮化铝材料的具体应用。

• 510 1_ |a Growth and application of aluminum nitride crystal material |z eng

• 606 0_ |a 氮化铝 |A dan hua lv |x 研究

• 690 __ |a O614.3 |v 5

• 701 _0 |a 宋波 |A song bo |4 编著

• 701 _0 |a 韩杰才 |A han jie cai |4 编著

• 701 _0 |a 刘梦婷 |A liu meng ting |4 编著

• 801 _0 |a CN |b HDUL |c 20220328

• 905 __ |a HDUL |d O614.3/330

• 920 __ |a 233030 |z 1