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• 010 __ |a 978-7-302-55663-3 |b 精装 |d CNY89.00

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• 200 1_ |a 负电容场效应晶体管特性及其解析模型研究 |A fu dian rong chang xiao ying jing ti guan te xing ji qi jie xi mo xing yan jiu |d = Research on the electrical characteristics and analytical model of negative capacitance field effect transistor |f 蒋春生著 |z eng

• 210 __ |a 北京 |c 清华大学出版社 |d 2020

• 215 __ |a 22, 149页, [11] 页图版 |c 图 |d 24cm

• 225 2_ |a 清华大学优秀博士学位论文丛书 |A qing hua da xue you xiu bo shi xue wei lun wen cong shu

• 320 __ |a 有书目 (第134-149页)

• 330 __ |a 本书采用数值仿真、解析建模和实验制备的手段对集成电路亚10nm阶段新型低功耗半导体器件 —— 负电容场效应晶体管 (NC-FET) 的工作原理和设计优化进行了研究。在负电容场效应晶体管的解析模型及其特性优化、新型负电容场效应晶体管器件的结构提出, 以及基于二维材料的负电容场效应晶体管的制备等方面, 进行了一系列原创性的探索。

• 410 _0 |1 2001 |a 清华大学优秀博士学位论文丛书

• 510 1_ |a Research on the electrical characteristics and analytical model of negative capacitance field effect transistor |z eng

• 606 0_ |a 场效应晶体管 |A chang xiao ying jing ti guan |x 研究

• 690 __ |a TN386 |v 5

• 701 _0 |a 蒋春生 |A jiang chun sheng |4 著

• 801 _0 |a CN |b HDUL |c 20210120

• 905 __ |a HDUL |d TN386/452

• 920 __ |a 233030 |z 1