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- 000 01021nam0 2200241 450
- 010 __ |a 978-7-121-32731-5 |d CNY28.00
- 100 __ |a 20190703d2018 em y0chiy50 ea
- 200 1_ |a 新型SOI MOSFET器件 |A xin xing SOI MOSFETqi jian |d = Novel SOI MOSFET device |f 辛艳辉著 |z eng
- 210 __ |a 北京 |c 电子工业出版社 |d 2018.2
- 215 __ |a xvi, 146页 |c 图 |d 24cm
- 320 __ |a 有书目 (第125-146页) 和索引
- 330 __ |a 本书共6章: 绪论; 应变硅SOI技术及短沟道SOI MOSFET基础理论; 单Halo全耗尽应变Si SOL MOSFET性能分析; 新型双栅应变Si SOI MOSFETT性能分析; 非对称Halo异质栅应变Si SOI MOSFET性能分析; 结论和展望。
- 333 __ |a 本书可作为微电子类、电子科学与技术类、材料类等相关专业的研究生的专业参考书籍, 也可供相关专业的教师、研究生、本科生及科技工作者参考
- 510 1_ |a Novel SOI MOSFET device |z eng
- 606 0_ |a SOI结构 |A SOIjie gou |x 集成电路
- 701 _0 |a 辛艳辉 |A xin yan hui |4 著
- 801 _0 |a CN |b 湖北三新 |c 20190705