机读格式显示(MARC)

• 000 01334nam0 2200277 450

• 001 0000787291

• 005 20201010150300.0

• 010 __ |a 978-7-5680-5903-9 |d CNY48.00

• 100 __ |a 20200609d2020 em y0chiy50 ea

• 101 0_ |a eng |g chi

• 102 __ |a CN |b 420000

• 105 __ |a a z 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 基于氧化镓的超宽禁带半导体薄膜生长与表征 |A ji yu yang hua jia de chao kuan jin dai ban dao ti bao mo sheng zhang yu biao zheng |d Growth and characterization of Ga2O3-based wide bandgap semiconductor films |e 英文 |f 张法碧著 |z eng

• 210 __ |a 武汉 |c 华中科技大学出版社 |d 2020

• 215 __ |a 158页 |c 图 |d 24cm

• 304 __ |a 正题名中“2”为“Ga2O3”中“Ga”的右下角标 “3”为“Ga2O3”中“O”的右下角标

• 304 __ |a 200字段信息取自CIP数据

• 330 __ |a 本书主要研究了新一带超宽禁带半导体材料——氧化镓的基本性质。全书从氧化镓的基本性质与国内外研究现状入手，论述了氧化镓生长质量的影响因素，论述了利用掺杂来氧化镓电导率调制的方法与机制，论述了分别利用氧化铟和氧化铝和氧化镓来形成合金从而调节其禁带宽度的方法与机制。

• 510 1_ |a Growth and characterization of Ga2O3-based wide bandgap semiconductor films |z eng

• 606 0_ |a 半导体薄膜技术 |A ban dao ti bo mo ji shu |x 研究 |j 英文

• 690 __ |a TN304.055 |v 5

• 701 _0 |a 张法碧 |A zhang fa bi |4 著

• 801 _0 |a CN |b HDUL |c 20201010

• 905 __ |a HDUL |d TN304.055/131

• 920 __ |a 233030 |z 1