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• 010 __ |a 978-7-111-73693-6 |d CNY149.00

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• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 宽禁带半导体功率器件 |A kuan jin dai ban dao ti gong lu qi jian |e 材料、物理、设计及应用 |f (美)贾扬·巴利加(B.JayantBaliga)等著 |g 杨兵译

• 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社 |d 2024

• 215 __ |a 11,331页 |c 图 |d 24cm

• 225 2_ |a 半导体与集成电路关键技术丛书 |A Ban Dao Ti Yu Ji Cheng Dian Lu Guan Jian Ji Shu Cong Shu

• 225 2_ |a 微电子与集成电路先进技术从书 |A Wei Dian Zi Yu Ji Cheng Dian Lu Xian Jin Ji Shu Cong Shu

• 305 __ |a 由ELSEVIER INC.授权出版

• 330 __ |a 本书系统地讨论了第三代半导体材料SiC和GaN的物理特性，以及功率应用中不同类型的器件结构，同时详细地讨论了SiC和GaN功率器件的设计、制造，以及智能功率集成中的技术细节。也讨论了宽禁带半导体功率器件的栅极驱动设计，以及SiC和GaN功率器件的应用。最后对宽禁带半导体功率器件的未来发展进行了展望。

• 461 _0 |1 2001 |a 半导体与集成电路关键技术丛书

• 461 _0 |1 2001 |a 微电子与集成电路先进技术从书

• 517 1_ |a 材料、物理、设计及应用

• 606 0_ |a 禁带 |A Jin Dai |x 半导体器件 |x 研究

• 690 __ |a TN303 |v 5

• 701 _0 |c (美) |a 巴利加 |A ba li jia |c (Baliga, B. Jayant) |4 著

• 702 _0 |a 杨兵 |A yang bing |4 译

• 801 _0 |a CN |b HDUL |c 20240626

• 905 __ |a HDUL |d TN303/724.3

• 920 __ |a 233030 |z 1