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• 010 __ |a 978-7-121-42552-3 |d CNY128.00

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• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 半导体器件中的辐射效应 |A ban dao ti qi jian zhong de fu she xiao ying |f (加) 克日什托夫·印纽斯基编著 |g 刘超铭 ... [等] 译

• 210 __ |a 北京 |c 电子工业出版社 |d 2021

• 215 __ |a xii, 315页 |c 图 |d 26cm

• 225 2_ |a 集成电路基础与实践技术丛书 |A ji cheng dian lu ji chu yu shi jian ji shu cong shu

• 300 __ |a 工信学术出版基金

• 304 __ |a 题名页题: 刘超铭, 王天琦, 张延清, 齐春华, 马国亮等译

• 306 __ |a 本书中文简体版专有出版权由Taylor & Francis Group, LLC授予电子工业出版社, 并限在中国大陆出版发行 本书原版由Taylor & Francis出版集团旗下CRC出版公司出版, 并经授权翻译出版

• 312 __ |a 英文题名原文取自封面

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书的内容主要介绍了各类先进电子器件在辐射环境 (航天, 核物理等) 下的行为及效应。辐射与物质的相互作用是一个非常广泛和复杂的课题。在这本书中, 作者从各个不同的角度试图分析这个问题, 目的是解释理解半导体器件、电路和系统在受到辐射时所观察到的退化效应的重要方面。内容包括目前国际上对于半导体器件辐射效应关注的各个方向, 从传统的Si材料到新型的纳米晶体, 从传统的CMOS工艺到新型的薄膜SOI工艺, 从器件工艺到结构设计, 各类内容均有涉及。

• 410 _0 |1 2001 |a 集成电路基础与实践技术丛书

• 500 10 |a Radiation effects in semiconductors |A Radiation effects in semiconductors |m Chinese

• 606 0_ |a 半导体器件 |A ban dao ti qi jian |x 辐射效应

• 690 __ |a TN303 |v 5

• 701 _1 |a 印纽斯基 |A yin niu si ji |g (Iniewski, Krzysztof) |4 编著

• 702 _0 |a 刘超铭 |A liu chao ming |4 译

• 702 _0 |a 王天琦 |A wang tian qi |4 译

• 801 _0 |a CN |b HDUL |c 20220329

• 905 __ |a HDUL |d TN303/7241

• 920 __ |a 233030 |z 1