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• 005 20230922114100.0

• 010 __ |a 978-7-121-45369-4 |d CNY79.90

• 100 __ |a 20230703d2023 em y0chiy50 ea

• 101 0_ |a chi

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a a a 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 集成电路制造技术 |A ji cheng dian lu zhi zao ji shu |e 原理与工艺 |f 田丽 ... [等] 编著

• 205 __ |a 第3版

• 210 __ |a 北京 |c 电子工业出版社 |d 2023

• 215 __ |a X, 322页 |c 图 |d 26cm

• 300 __ |a 工业和信息化部“十四五”规划教材 工业和信息化部“十二五”规划教材 新工科集成电路专业一流精品教材 工信学术出版基金

• 304 __ |a 题名页题其余责任者: 李玲, 任明远, 王蔚

• 320 __ |a 有书目 (第320-322页)

• 330 __ |a 本书介绍硅基芯片制造流程中普遍采用的各单项工艺技术的原理、问题、分析方法、主要设备及其技术发展趋势, 共6个单元14章。第一单元介绍硅衬底, 主要介绍单晶硅的结构特点, 单晶硅锭的拉制及硅片 (包含体硅片和外延硅片) 的制造工艺及相关理论。第二至五单元介绍硅基芯片制造基本单项工艺 (氧化与掺杂、薄膜制备、光刻、工艺集成与封装测试) 的原理、方法、设备, 以及所依托的技术基础及发展趋势。第六单元介绍集成电路制造工艺监控与生产实习实验。

• 517 1_ |a 原理与工艺 |A yuan li yu gong yi

• 606 0_ |a 集成电路工艺 |A ji cheng dian lu gong yi |x 高等学校 |j 教材

• 690 __ |a TN405 |v 5

• 701 _0 |a 田丽 |A tian li |4 编著

• 701 _0 |a 李玲 |A li ling |4 编著

• 701 _0 |a 任明远 |A ren ming yuan |4 编著

• 701 _0 |a 王蔚 |A wang wei |4 编著

• 801 _0 |a CN |b HDUL |c 20230922

• 905 __ |a HDUL |d TN405/140/4

• 920 __ |a 233030 |z 1