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• 005 20210419155000.0

• 010 __ |a 978-7-03-067440-1 |d CNY150.00

• 100 __ |a 20210331d2021 em y0chiy50 ea

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• 102 __ |a CN |b 110000

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• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 宽禁带半导体电子材料与器件 |A kuan jin dai ban dao ti dian zi cai liao yu qi jian |f 沈波, 唐宁编著

• 210 __ |a 北京 |c 科学出版社 |d 2021

• 215 __ |a xi, 316页 |c 图 |d 24cm

• 225 2_ |a 先进功能材料丛书 |A xian jin gong neng cai liao cong shu

• 312 __ |a 英文并列题名取自封面

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书介绍了Ⅲ族氮化物、SiC、金刚石和Ga2O3四种最重要的宽禁带半导体电子材料和器件，从晶体结构、能带结构、衬底材料、外延生长、射频电子器件和功率电子器件等方面论述了其基础物理性质、面临的关键科学技术问题、国内外前沿研究成果和应用前景。

• 410 _0 |1 2001 |a 先进功能材料丛书

• 510 1_ |a Electronic materials and devices of wide band gap semiconductors |z eng

• 606 0_ |a 禁带 |A jin dai |x 半导体材料

• 606 0_ |a 禁带 |A jin dai |x 电子器件

• 690 __ |a TN304 |v 5

• 701 _0 |a 沈波 |A shen bo |4 编著

• 701 _0 |a 唐宁 |A tang ning |4 编著

• 801 _0 |a CN |b HDUL |c 20210419

• 905 __ |a HDUL |d TN304/330

• 920 __ |a 233030 |z 1