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• 010 __ |a 978-7-03-061162-8 |b 精装 |d CNY168.00

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• 200 1_ |a 晶体生长中输运现象及晶体缺陷 |A jing ti sheng zhang zhong shu yun xian xiang ji jing ti que xian |d = Transport phenomena during crystal growth and crystal defects |f 方海生, 刘胜著 |z eng

• 210 __ |a 北京 |c 科学出版社 |d 2019

• 215 __ |a xii, 351页 |c 图 |d 25cm

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书首先阐述晶体生长的基本原理和输运现象，并介绍计算流体力学方法；其次着重讨论薄膜制备中传热和传质现象，包括薄膜制备系统的复杂化学反应机理，并介绍与传热和传质相关的晶体缺陷；然后，以多晶硅、蓝宝石、氮化镓等应用广泛的晶体为例，讨论块状晶体、薄膜晶体制备过程的研究方法和优化策略；最后，书中进一步讨论从分子动力学角度理解开裂、位错等晶体缺陷形成的机理，以及采用第一性原理辅助的分子动力学方法预测热物性参数的理论。

• 510 1_ |a Transport phenomena during crystal growth and crystal defects |z eng

• 606 0_ |a 晶体生长 |A jing ti sheng zhang |x 输运过程

• 606 0_ |a 晶体缺陷 |A jing ti que xian

• 690 __ |a O78 |v 5

• 701 _0 |a 方海生 |A fang hai sheng |4 著

• 701 _0 |a 刘胜 |A liu sheng |4 著

• 801 _0 |a CN |b HDUL |c 20190919

• 905 __ |a HDUL |d O78/032

• 920 __ |a 233030 |z 1