机读格式显示(MARC)

• 000 00934nam 2200229 450

• 001 0000867156

• 005 0120040101010101

• 010 __ |a 978-7-5680-5903-9 |d CNY48.00

• 092 __ |a CN

• 100 __ |a 20220610d2002 ekmy0chiy0121 ea

• 101 __ |a eng

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a a z 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 基于氧化镓的超宽禁带半导体薄膜生长与表征 |A ji yu yang hua zuo de chao kuan jin dai ban dao ti bao mo sheng chang yu biao zheng |f 张法碧著

• 210 __ |a 武汉 |c 华中科技大学出版社 |d 2020.05

• 215 __ |a 158页 |d 16开 |d 24cm

• 330 __ |a 本专著主要研究了新一带超宽禁带半导体材料-氧化镓的基本性质;全书从氧化镓的基本性质与国内外研究现状入手,详细论述了氧化镓生长质量的影响因素;论述了利用掺杂来氧化镓电导率调制的方法与机制;论述了分别利用氧化铟和氧化铝和氧化镓来形成合金从而调节其禁带宽度的方法与机制.

• 333 __ |a 相关领域研究人员

• 606 0_ |a 半导体薄膜技术－研究－英文

• 690 __ |a TN304.055 |v 4

• 801 _0 |a CN |c 20220610