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• 000 01132nam0 2200265 450

• 001 0000808721

• 005 20210112150700.0

• 010 __ |a 978-7-03-066706-9 |b 精装 |d CNY228.00

• 100 __ |a 20201223d2020 em y0chiy50 ea

• 101 0_ |a chi

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a ak a 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 直拉硅单晶生长过程数值模拟与工艺优化 |A zhi la gui dan jing sheng zhang guo cheng shu zhi mo ni yu gong yi you hua |f 刘丁著

• 210 __ |a 北京 |c 科学出版社 |d 2020

• 215 __ |a xiii, 315页 |c 图 (部分彩图) |d 25cm

• 306 __ |a 国家科学技术学术著作出版基金资助出版

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书在概述硅单晶发展前景、主要生长设备及关键工艺的基础上，介绍直拉硅单晶生长过程数值模拟方法、工艺流程与参数设置、热系统设计与制造等方面的内容；从介观层面阐述多物理场耦合作用对晶体生长的影响，并给出关键工艺参数选取方法；提出一系列结合变量检测、智能优化及先进控制技术的硅单晶工艺研究理论和工程实现方法。

• 606 0_ |a 直拉硅单晶 |A zhi la gui dan jing |x 晶体生长 |x 过程模拟 |x 研究

• 690 __ |a TN304.053 |v 5

• 701 _0 |a 刘丁 |A liu ding |4 著

• 801 _0 |a CN |b HDUL |c 20210112

• 905 __ |a HDUL |d TN304.053/010

• 920 __ |a 233030 |z 1