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- 010 __ |a 978-7-5684-1030-4 |d CNY35.00
- 100 __ |a 20190703d2018 em y0chiy50 ea
- 200 1_ |a 硅基高k氧化物锶硅界面缓冲层的研究 |A gui ji gao k yang hua wu si gui jie mian huan chong ceng de yan jiu |d = Investigation on the interface and surface reconstruction of bufferlayer of high k oxide on silicon surface |f 杜文汉著 |z eng
- 210 __ |a 镇江 |c 江苏大学出版社 |d 2018
- 215 __ |a 123页 |c 图 |d 22cm
- 225 2_ |a 新材料研究系列丛书 |A xin cai liao yan jiu xi lie cong shu
- 306 __ |a 由江苏高校品牌专业建设工程资助项目(TAPP,PPZY2015B129) “十三五”江苏省重点学科项目-电气工程重点建设学科、2016度江苏省高校重点实验室建设项目-特种电机研究与应用重点建设实验室、常州市智能感知与无人机应用技术研究重点实验室(CM20173003)、常州市新能源材料国际联合实验室(CZ20180015)、常州工学院自然科学基金项目(YN1710)、江苏省产学研合作项目(BY2018150)资助出版
- 320 __ |a 有书目 (第113-123页)
- 330 __ |a 本书借助STM这个可以提供原子尺度结构和电子态的有力工具,对Sr/Si体系进行了研究,主要分为以下3个部分:Si(100)衬底上的Sr/Si再构;Si(111)衬底上的Sr/Si再构;超薄SrTiO3膜的高温晶化。
- 410 _0 |1 2001 |a 新材料研究系列丛书
- 510 1_ |a Investigation on the interface and surface reconstruction of bufferlayer of high k oxide on silicon surface |z eng
- 606 0_ |a 固体物理学 |A gu ti wu li xue |x 研究
- 701 _0 |a 杜文汉 |A du wen han |4 著
- 801 _0 |a CN |b HDUL |c 20190919
- 905 __ |a HDUL |d O48/403