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• 010 __ |a 978-7-5606-6288-6 |b 精装 |d CNY128.00

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• 200 1_ |a 氮化物半导体准范德华外延及应用 |A dan hua wu ban dao ti zhun fan de hua wai yan ji ying yong |d Quasi van der waals epitaxy of nitride semiconductor and its applications |f 魏同波, 刘志强, 李晋闽著 |z eng

• 210 __ |a 西安 |c 西安电子科技大学出版社 |d 2022

• 215 __ |a 228页, [2] 页图版 |c 图 (部分彩图) |d 24cm

• 225 2_ |a 宽禁带半导体前沿丛书 |A kuan jin dai ban dao ti qian yan cong shu

• 300 __ |a 国家出版基金项目

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书以作者及研究团队近年来的研究成果为基础, 以第三代半导体与二维材料相结合的产业化应用为目标, 详细介绍了二维材料上准范德华外延氮化物的理论计算、材料生长、器件制备和应用, 内容集学术性与实用性为一体。全书共8章, 内容包括二维材料及准范德华外延原理、界面理论计算、二维材料辅助氮化物准范德华外延材料生长、大失配衬底准范德华外延, 二维材料在柔性转移和散热等方面的应用, 以及二维氮化物等当前研究前沿。

• 410 _0 |1 2001 |a 宽禁带半导体前沿丛书

• 510 1_ |a Quasi van der waals epitaxy of nitride semiconductor and its applications |z eng

• 606 0_ |a 氮化物 |A dan hua wu |x 半导体材料 |x 研究

• 690 __ |a TN304 |v 5

• 701 _0 |a 魏同波 |A wei tong bo |4 著

• 701 _0 |a 刘志强 |A liu zhi jiang |4 著

• 701 _0 |a 李晋闽 |A li jin min |4 著

• 801 _0 |a CN |b HDUL |c 20221109

• 905 __ |a HDUL |d TN304/273

• 920 __ |a 233030 |z 1