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• 010 __ |a 978-7-03-038702-8 |d CNY60.00

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• 200 1_ |a 硅半导体器件辐射效应及加固技术 |A gui ban dao ti qi jian fu she xiao ying ji jia gu ji shu |f 刘文平著

• 210 __ |a 北京 |c 科学出版社 |d 2013

• 215 __ |a viii, 222页 |c 图 |d 24cm

• 320 __ |a 有书目 (第213-222页)

• 330 __ |a 本书重点介绍了硅半导体器件的电离辐射损伤效应及其抗辐射加固的基本原理和方法。全书共分六章，主要内容包括空间电离辐射环境、半导体电离辐射损伤、器件单粒子翻转率的基本概念和基本机理的介绍与分析，硅双极半导体器件、MOS器件、SOI器件和硅DMOS器件电离总剂量辐射效应、瞬时剂量率辐射效应、单粒子辐射效应的基本机理及其与关键设计参数、工艺参数的关系以及辐射加固的基本原理和基本方法的分析，纳米级器件结构的辐射效应以及相关辐射加固的基本原理的概述和展望。

• 333 __ |a 本书可供微电子专业的研究生和从事微电子专业的科技人员进行抗辐射半导体器件研究开发、设计制造参考。

• 606 0_ |a 硅 |A gui |x 半导体器件 |x 辐射效应

• 606 0_ |a 硅 |A gui |x 半导体器件 |x 抗辐射性 |x 加固

• 690 __ |a TN304.1 |v 5

• 701 _0 |a 刘文平 |A liu wen ping |4 著

• 801 _0 |a CN |b HDUL |c 20140917

• 905 __ |a HDUL |d TN304.1/001

• 920 __ |a 233030 |z 1