机读格式显示(MARC)

• 000 01898nam 2200361 450

• 001 0000912471

• 005 20240611140800.0

• 010 __ |a 978-7-111-72873-3 |d CNY189.00

• 100 __ |a 20230718d2023 em y0chiy50 ea

• 101 1_ |a chi |c ita |c pol

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a af a 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 氮化物半导体技术 |A dan hua wu ban dao ti ji shu |e 功率电子和光电子器件 |f (意) 法布里齐奥·罗卡福特, (波) 迈克·莱辛斯基主编 |d = Nitride semiconductor technology |e power electronics and optoelectronic devices |f Fabrizio Roccaforte, Mike Leszczynski |g 李晨 ... [等] 译 |z eng

• 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社 |d 2023

• 215 __ |a XIV, 400页, [24] 页图版 |c 图 |d 24cm

• 225 2_ |a 半导体与集成电路关键技术丛书 |A ban dao ti yu ji cheng dian lu guan jian ji shu cong shu

• 300 __ |a 机工电子

• 306 __ |a 由Wiley授权出版

• 314 __ |a 法布里齐奥·罗卡福特, 意大利卡塔尼亚大学物理硕士, 1999年获得德国哥廷根大学博士学位。迈克·莱辛斯基, 波兰科学院博导、教授, 1990年获得波兰科学院物理所博士学位。

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书概述了氮化物半导体及其在功率电子和光电子器件中的应用, 解释了这些材料的物理特性及其生长方法, 详细讨论了它们在高电子迁移率晶体管、垂直型功率器件、发光二极管、激光二极管和垂直腔面发射激光器中的应用。本书进一步研究了这些材料的可靠性问题, 并提出了将它们与2D材料结合用于新型高频和高功率器件的前景。

• 410 _0 |1 2001 |a 半导体与集成电路关键技术丛书

• 510 1_ |a Nitride semiconductor technology |e power electronics and optoelectronic devices |z eng

• 517 1_ |a 功率电子和光电子器件 |A gong lv dian zi he guang dian zi qi jian

• 606 0_ |a 氮化物 |A dan hua wu |x 半导体材料 |x 研究

• 690 __ |a TN304 |v 5

• 701 _1 |a 罗卡福特 |A luo ka fu te |g (Roccaforte, Fabrizio) |4 主编

• 701 _1 |a 莱辛斯基 |A lai xin si ji |g (Leszczynski, Mike) |4 主编

• 702 _0 |a 李晨 |A li chen |4 译

• 801 _0 |a CN |b HDUL |c 20231011

• 905 __ |a HDUL |d TN304/623

• 920 __ |a 233030 |z 1