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• 000 01560nam 2200325 450

• 001 0000508356

• 005 20140422135300.0

• 010 __ |a 978-7-121-20188-2 |d CNY79.00

• 100 __ |a 20130615d2013 em y0chiy50 ea

• 101 1_ |a chi |c eng

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a a z 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 模拟CMOS电路设计折中与优化 |A mo ni CMOS dian lu she ji zhe zhong yu you hua |d = Tradeoffs and optimization in analog CMOS design |f (美 )David M. Binkley著 |g 冯军, 胡庆生等译 |z eng

• 210 __ |a 北京 |c 电子工业出版社 |d 2013

• 215 __ |a 27, 523页 |c 图 |d 26cm

• 225 2_ |a 国外电子与通信教材系列 |A guo wai dian zi yu tong xin jiao cai xi lie

• 306 __ |a 由John Wiley & Sons, Ltd.授权出版

• 314 __ |a 责任者规范汉译姓: 宾克利

• 330 __ |a 本书分为两部分，第一部分深入、细致地研究了三个选项对器件、基本电路各种性能的影响；对于诸如速度饱和、垂直电场迁移率减小、漏致势垒降低等短沟道效应以及热噪声、闪烁噪声和失配等高阶效应对器件和电路性能的影响给出较为深入、详细的介绍；第二部分采用CMOS工艺结合典型电路(运算跨导放大器和微功耗， 低噪声前置放大器)设计进行实例介绍， 给出了各种情况下电路优化设计的结果和相应的分析。

• 410 _0 |1 2001 |a 国外电子与通信教材系列

• 500 10 |a Tradeoffs and optimization in analog CMOS design |m Chinese

• 606 0_ |a CMOS电路 |A CMOS dian lu |x 电路设计 |j 教材

• 690 __ |a TN432.02 |v 5

• 701 _1 |a 宾克利 |A bin ke li |g (Binkley, David M.) |4 著

• 702 _0 |a 冯军 |A feng jun |4 译

• 702 _0 |a 胡庆生 |A hu qing sheng |4 译

• 801 _0 |a CN |b 浙江省新华书店集团公司 |c 20130615

• 905 __ |a HDUL |d TN432.02/342

• 920 __ |a 233030 |z 1