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• 000 01263nam0 2200277 450

• 001 0000823269

• 005 20210607105600.0

• 010 __ |a 978-7-121-40841-0 |d CNY79.00

• 100 __ |a 20210413d2021 em y0chiy50 ea

• 101 0_ |a chi

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a ak a 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 纳米CMOS器件及电路的辐射效应 |A na mi CMOS qi jian ji dian lu de fu she xiao ying |f 刘保军, 刘小强, 刘忠永著

• 210 __ |a 北京 |c 电子工业出版社 |d 2021

• 215 __ |a 253页 |c 图 |d 24cm

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书主要介绍辐射效应对纳米CMOS器件及其电路的影响，涵盖了各种辐射环境分析、电离损伤机理研究、纳米器件的总剂量效应和单粒子效应的建模仿真、辐射效应对纳米CMOS电路的影响等内容，综合考虑了器件特征尺寸缩减对辐射效应的影响，给出了纳电子器件及其电路的辐射效应的分析方法和思路。此外，本书还讨论了高k栅介质对纳米CMOS器件的辐射效应的影响、新兴纳米FinFET及纳米线的辐射效应、器件级加固技术，给出了单粒子串扰的建模方法及数字电路在单粒子效应下的软错误率评估方法。

• 606 0_ |a 半导体器件 |A ban dao ti qi jian |x 纳米材料

• 690 __ |a TN303 |v 5

• 701 _0 |a 刘保军, |A liu bao jun |f 1984- |4 著

• 701 _0 |a 刘小强 |A liu xiao qiang |4 著

• 701 _0 |a 刘忠永 |A liu zhong yong |4 著

• 801 _0 |a CN |b HDUL |c 20210607

• 905 __ |a HDUL |d TN303/023

• 920 __ |a 233030 |z 1