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- 000 01202nam0 2200301 450
- 010 __ |a 978-7-5024-9595-4 |d CNY72.00
- 100 __ |a 20231016d2023 em y0chiy50 ea
- 200 1_ |a 不同形貌GaN纳米线制备技术 |A bu tong xing mao GaN na mi xian zhi bei ji shu |f 崔真,李恩玲,王含笑著
- 210 __ |a 北京 |c 冶金工业出版社 |d 2023
- 215 __ |a 161页 |c 图 |d 24cm
- 330 __ |a 本书以西安理工大学光电材料制备与器件设计团队近20年所开展的GaN基材料制备与场发射特性研究为依托, 通过化学气相沉积法可控制备出塔形、铅笔形、针尖状、绳形、竹叶形、螺旋形及三维分支结构的GaN纳米线, 阐明了这些不同形貌GaN纳米线的合成机理, 发现它们因具有特殊的结构和大的场增强因子而具有优异的光电和场发射特性。
- 510 1_ |a Preparation technology of GaN nanowires with different morphologies |z eng
- 606 0_ |a 纳米材料 |A na mi cai liao |x 研究
- 701 _0 |a 崔真 |A cui zhen |4 著
- 701 _0 |a 李恩玲 |A li en ling |4 著
- 701 _0 |a 王含笑 |A wang han xiao |4 著
- 801 _0 |a CN |b HDUL |c 20231116
- 905 __ |a HDUL |d TB383/2404