机读格式显示(MARC)

• 000 01179nam 2200289 450

• 001 0000357337

• 005 20100422103600.0

• 010 __ |a 978-7-81129-126-1 |d CNY25.00 |z 7-81129-126-6

• 100 __ |a 20091208d2009 em y0chiy50 ea

• 101 0_ |a chi

• 102 __ |a CN |b 230000

• 105 __ |a ak a 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器研究 |A na mi gui / dan jing gui yi zhi jie MOSFETs ya / ci duo gong neng chuan gan qi yan jiu |f 赵晓锋著

• 210 __ |a 哈尔滨 |c 黑龙江大学出版社 |d 2009.08

• 215 __ |a 246页 |c 图 |d 21cm

• 225 2_ |a 黑龙江大学学术文库 |A hei long jiang da xue xue shu wen ku

• 320 __ |a 有书目 (第234-246页)

• 330 __ |a 本书在温殿忠教授提出的JFET压/磁电效应基本理论基础上, 给出MOSFETs压/磁多功能传感器在四种情况下的基本理论分析。采用CMOS工艺和MEMS技术设计、制作以纳米硅/单晶硅异质结为源极 (S) 和漏极 (D) 的MOSFETs压/磁多功能传感器。

• 410 _0 |1 2001 |a 黑龙江大学学术文库

• 606 0_ |a 压力传感器 |A ya li chuan gan qi |x 研究

• 606 0_ |a 磁性传感器 |A ci xing chuan gan qi |x 研究

• 690 __ |a TP212 |v 4

• 701 _0 |a 赵晓锋 |A zhao xiao feng |4 著

• 801 _0 |a CN |b HDUL |c 20100422

• 905 __ |a HDUL |d TP212/468

• 920 __ |a 233030 |z 1