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• 005 20190429100800.0

• 010 __ |a 978-7-118-11811-7 |d CNY89.00

• 100 __ |a 20190314d2019 em y0chiy50 ea

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• 102 __ |a CN |b 110000

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• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 新型瞬态电真空半导体光电子器件与技术 |A xin xing shun tai dian zhen kong ban dao ti guang dian zi qi jian yu ji shu |f 母一宁 ... [等] 著

• 210 __ |a 北京 |c 国防工业出版社 |d 2019

• 215 __ |a 166页 |c 图 |d 21cm

• 304 __ |a 著者还有: 刘春阳, 陈卫军, 宋德

• 320 __ |a 有书目 (第152-162页)

• 330 __ |a 本书阐述近年来新型瞬态电真空半导体光电子器件内涵、特点、研究意义与国内外发展现状；对影响新型瞬态电真空半导体光电子器件总体设计方案的多种外界约束条件和性能指标进行分析；重点论述新型瞬态电真空半导体光电子器件总体情况与发展趋势，并论述了宽禁带紫外半导体激射原理，电真空光电倍增原理与复合探测机制，真空半导体电子倍增成像器件以及未来光电调制技术等。

• 606 0_ |a 半导体光电器件 |A ban dao ti guang dian qi jian |x 真空微电子器件

• 690 __ |a TN103 |v 5

• 701 _0 |a 母一宁 |A mu yi ning |4 著

• 701 _0 |a 刘春阳 |A liu chun yang |4 著

• 701 _0 |a 陈卫军 |A chen wei jun |4 著

• 801 _0 |a CN |b HDUL |c 20190429

• 905 __ |a HDUL |d TN103/713

• 920 __ |a 233030 |z 1