机读格式显示(MARC)

• 000 01193nam0 2200253 450

• 001 0000767726

• 005 20200411111800.0

• 010 __ |a 978-7-122-35272-9 |d CNY48.00

• 100 __ |a 20191213d2020 em y0chiy50 ea

• 101 0_ |a chi

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a a a 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 二维化合物的吸附特性 |A er wei hua he wu de xi fu te xing |f 琚伟伟著

• 210 __ |a 北京 |c 化学工业出版社 |d 2020

• 215 __ |a 106页 |c 图 |d 24cm

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书是作者近年来在对二维化合物材料的电子结构、磁特性以及相变的研究基础上撰写而成的, 系统地介绍了吸附、掺杂、缺陷等调控方法对二维MoS2和InSe材料的电子性质及磁特性的影响。全书共分七章, 前两章介绍了相关材料的研究背景及理论方法。第三章介绍了Au团簇吸附对非缺陷和缺陷单层MoS2结构和电子性质的影响, 第四章介绍了反位缺陷对单层MoS2电子和磁学性质的影响, 第五章介绍了非金属原子吸附对缺陷单层MoS2磁学性质的影响, 第六章介绍了3d过渡金属原子吸附对单层InSe电学和磁学性质的影响, 第七章介绍了小分子吸附对单层InSe电学和磁学性质的影响。

• 606 0_ |a 过渡金属化合物 |A guo du jin shu hua he wu

• 690 __ |a O614 |v 5

• 701 _0 |a 琚伟伟 |A ju wei wei |4 著

• 801 _0 |a CN |b HDUL |c 20200411

• 905 __ |a HDUL |d O614/122

• 920 __ |a 233030 |z 1