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- 010 __ |a 978-7-03-040034-5 |d CNY58.00
- 100 __ |a 20140421d2014 em y0chiy50 ea
- 200 1_ |a 纳米级CMOS超大规模集成电路可制造性设计 |A na mi ji CMOS chao da gui mo ji cheng dian lu ke zhi zao xing she ji |f (美) Sandip Kundu, (印) Aswin Sreedhar著 |g 王昱阳, 谢文遨译
- 210 __ |a 北京 |c 科学出版社 |d 2014
- 215 __ |a xi, 261页 |c 图 |d 24cm
- 306 __ |a 由麦格劳-希尔 (亚洲) 教育出版公司和中国科技出版传媒股份有限公司合作出版 本书限中国大陆发行
- 314 __ |a 责任者Kundu规范汉译姓: 孔杜
- 330 __ |a 本书的内容包括:CMOS VLSI电路设计的技术趋势;半导体制造前期技术;当前和未来CMOS器件中的工艺参数偏差及其影响;通过版图分析实现光刻控制的基本原理及重要的光刻参数和概念,半导体制造中出现的多种制造缺陷等。
- 500 10 |a Nanoscale CMOS VLSI circuits design for manufacturability |m Chinese
- 606 0_ |a 纳米材料 |A na mi cai liao |x CMOS电路 |x 超大规模集成电路 |x 电路设计
- 701 _1 |a 孔杜 |A kong du |g (Kundu, Sandip) |4 著
- 701 _1 |a Sreedhar |b Aswin |4 著
- 702 _0 |a 王昱阳 |A wang yu yang |4 译
- 702 _0 |a 谢文遨 |A xie wen ao |4 译
- 801 _0 |a CN |b 浙江省新华书店集团公司 |c 20140421
- 905 __ |a HDUL |d TN432.02/140