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题名/责任者:

半导体器件中的辐射效应/(加) 克日什托夫·印纽斯基编著 刘超铭 ... [等] 译

出版发行项:

北京:电子工业出版社,2021

ISBN及定价:

978-7-121-42552-3/CNY128.00

载体形态项:

xii, 315页:图;26cm

统一题名:

Radiation effects in semiconductors

丛编项:

集成电路基础与实践技术丛书

个人责任者:

印纽斯基 (Iniewski, Krzysztof) 编著

个人次要责任者:

刘超铭 译

个人次要责任者:

王天琦 译

学科主题:

半导体器件-辐射效应

中图法分类号:

TN303

一般附注:

工信学术出版基金

题名责任附注:

题名页题: 刘超铭, 王天琦, 张延清, 齐春华, 马国亮等译

出版发行附注:

本书中文简体版专有出版权由Taylor & Francis Group, LLC授予电子工业出版社, 并限在中国大陆出版发行 本书原版由Taylor & Francis出版集团旗下CRC出版公司出版, 并经授权翻译出版

相关题名附注:

英文题名原文取自封面

书目附注:

有书目

提要文摘附注:

本书的内容主要介绍了各类先进电子器件在辐射环境 (航天, 核物理等) 下的行为及效应。辐射与物质的相互作用是一个非常广泛和复杂的课题。在这本书中, 作者从各个不同的角度试图分析这个问题, 目的是解释理解半导体器件、电路和系统在受到辐射时所观察到的退化效应的重要方面。内容包括目前国际上对于半导体器件辐射效应关注的各个方向, 从传统的Si材料到新型的纳米晶体, 从传统的CMOS工艺到新型的薄膜SOI工艺, 从器件工艺到结构设计, 各类内容均有涉及。

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