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题名/责任者:

硅锗低维材料可控生长/马英杰 ... [等] 著

出版发行项:

北京:科学出版社,2021

ISBN及定价:

978-7-03-068516-2/CNY145.00

载体形态项:

255页:图;24cm

并列正题名:

Controllable growth of low-dimensional SiGe materials

丛编项:

先进功能材料丛书

个人责任者:

马英杰 著

个人责任者:

蒋最敏 著

个人责任者:

周通 著

学科主题:

半导体材料-纳米材料-研究

中图法分类号:

TN304

题名责任附注:

著者还有: 蒋最敏, 周通, 钟振扬

相关题名附注:

英文并列题名取自封面

书目附注:

有书目

提要文摘附注:

本书首先介绍低维异质半导体材料及其物理性质，概述刻蚀和分子束外延生长两种基本的低维半导体材料制备方法，说明了分子束外延技术设备的工作原理和低维异质结构的外延生长过程及其工艺发展。接着分别从热力学和动力学的角度阐述了硅低维结构的外延生长机理及其相关理论，重点讨论了图形衬底上的硅锗低维结构可控生长理论和硅低维结构的可控外延生长技术，并结合丰富的硅锗纳米结构可控生长实例，讨论图形硅衬底和斜切硅衬底上低维材料的可控外延生长及其生长机理。最后，介绍可控硅锗低维结构的光电特性及其器件与集成应用研究，并展望基于可控外延生长量子点的新型器件。

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