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题名/责任者:

CMOS射频集成电路设计/(美)Thomas H. Lee著 余志平，周润德等译

出版发行项:

北京:电子工业出版社,2012

ISBN及定价:

978-7-121-17595-4/CNY78.00

载体形态项:

18,596页:图;26cm

并列正题名:

Design of CMOS radio-frequency integrated circuits

个人责任者:

(美) 李 (Lee, Thomas H.) 著

个人次要责任者:

余志平 译

个人次要责任者:

周润德 译

学科主题:

COMS电路-电路设计-高等学校-教材

中图法分类号:

TN432

一般附注:

国外电子与通信教材系列

版本附注:

据原书第2版译出

提要文摘附注:

本书介绍了设计千兆赫兹（GHz）CMOS射频集成电路的细节。本书首先简要介绍了无线电发展史和无线系统原理；在回顾集成电路元件特性、MOS器件物理和模型、RLC串并联和其他振荡网络及分布式系统特点的基础上，介绍了史密斯圆图、S参数和带宽估计技术；着重说明了现代高频宽带放大器的设计方法，详细讨论了关键的射频电路模块，包括低噪声放大器（LNA）、基准电压源、混频器、射频功率放大器、振荡器和频率综合器。对于射频集成电路中存在的各类噪声及噪声特性（包括振荡电路中的相位噪声）进行了探讨。本书最后考察了收发器的总体结构并展望了射频电路未来发展的前景。

电子资源:

http://www.zxhsd.com/kgsm/ts/2012/09/11/2344845.shtml

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