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题名/责任者:

碳化硅半导体材料与器件/(美)Michael Shur, (美)Sergey Rumyantsev, (俄)Michael Levinshtein主编 杨银堂，贾护军，段宝兴译

出版发行项:

北京:电子工业出版社,2012

ISBN及定价:

978-7-121-17755-2/CNY59.00

载体形态项:

11,332页:图;26cm

并列正题名:

SiC materials and devices, volume Ⅰ&Ⅱ

个人责任者:

(美) 舒尔 (Shur, Michael) 主编

个人责任者:

(美) Rumyantsev Sergey 主编

个人责任者:

(俄) Levinshtein Michael 主编

个人次要责任者:

杨银堂 译

个人次要责任者:

贾护军 译

个人次要责任者:

段宝兴 译

学科主题:

Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体-半导体材料-教材

学科主题:

Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体-半导体器件-教材

中图法分类号:

TN304.2

一般附注:

国外电子与通信教材系列

版本附注:

由World Scientific Publishing Co.Pte Ltd.授权出版

提要文摘附注:

本书主要论述了SiC材料与器件中的相关基础理论，内容包括：SiC材料特性、SiC同质外延和异质外延、SiC欧姆接触、肖特基势垒二极管、大功率PiN整流器、SiC：微波二极管、SiC晶闸管、SiC静态感应晶体管、SiC衬底材料生长、SiC深能级缺陷、SiC结型场效应晶体管，以及SiC BJT等。

电子资源:

http://www.zxhsd.com/kgsm/ts/2012/09/14/2353334.shtml

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