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题名/责任者:

透明氧化物半导体/马洪磊, 马瑾著

出版发行项:

北京:科学出版社,2014

ISBN及定价:

978-7-03-041664-3 精装/CNY148.00

载体形态项:

x, 374页, [2] 页图版:图 (部分彩图);26cm

丛编项:

半导体科学与技术丛书

个人责任者:

马洪磊 著

个人责任者:

马瑾 著

学科主题:

氧化物半导体

中图法分类号:

TN304.2

书目附注:

有书目和索引

提要文摘附注:

本书论述了透明氧化物半导体薄膜的制备技术、理论基础, 分别阐述已经得到广泛应用或具有重要应用前景的八种典型氧化物半导体薄膜的晶体结构、形貌、缺陷、电子结构、电学性质、磁学性质、压电性质、光学性质、气敏性质和光催化性质, 评述新兴透明氧化物电子学。

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