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题名/责任者:

硅基锗材料生长与器件构筑/陈城钊著

出版发行项:

哈尔滨:哈尔滨工程大学出版社,2020

ISBN及定价:

978-7-5661-2648-1/CNY46.00

载体形态项:

99页:图;24cm

个人责任者:

陈城钊 著

学科主题:

锗-硅基材料-纳米材料-半导体光电器件-结构

中图法分类号:

TN304.2

一般附注:

广东省科技厅自然科学基金项目“硅基绝缘体上锗(GOI)材料高速高灵敏度光电探测器的研究”(2016A030307038) 广东省教育厅创新强校工程自然科学特色创新项目“用于Si基光电集成的Ge光电探测器的研制和性能改进”(2015KTSCX090)

书目附注:

有书目

提要文摘附注:

本书分为三个部分，首先介绍了硅基锗材料生长及器件的基础知识；其次阐述了采用低温缓冲层技术外延生长硅基锗材料，锗的原位硼(B)和磷(P)掺杂；最后探讨了硅基锗PN结和PIN结构的基本物理特性，并给出相关特性的定性与定量分析。

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