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题名/责任者:

高温SiC MEMS传感器的热电特性/(澳) 丁东安, 阮南中, 陶宗越著 王兴华 ... [等] 译

出版发行项:

北京:科学出版社,2022

ISBN及定价:

978-7-03-072489-2/CNY88.00

载体形态项:

x, 133页:图 (部分彩图);24cm

统一题名:

Thermoelectrical effect in SIC for high-temperature MEMS sensors

个人责任者:

丁东安 (Dinh, Toan) 著

个人责任者:

阮南中 (Nguyen, Nam-Trung) 著

个人责任者:

陶宗越 (Dao, Dzung Viet) 著

个人次要责任者:

王兴华 译

个人次要责任者:

刘文宝 译

学科主题:

碳化硅热敏电阻器-研究

学科主题:

微机电系统-传感器-热电效应-研究

中图法分类号:

TM54

题名责任附注:

题名页题: 王兴华, 刘文宝, 刘红卫, 李兴冀译

书目附注:

有书目

提要文摘附注:

本书主要介绍了碳化硅 (SiC) 传感器在高温下热电特性的研究进展。本书可分为三部分, 共七章。第一部分从单层SiC和多层SiC的热阻效应、热电效应、热电子效应和热电容效应等物理效应方面来介绍SiC的热电特性; 第二部分介绍了SiC的诸多重要特征以及SiC MEMS的制造流程, 总结了SiC传感器、热流传感器和对流惯性传感器的最新进展; 第三部分论述了SiC热电传感器的应用前景。

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