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题名/责任者:

纳米CMOS器件及电路的辐射效应/刘保军, 刘小强, 刘忠永著

出版发行项:

北京:电子工业出版社,2021

ISBN及定价:

978-7-121-40841-0/CNY79.00

载体形态项:

253页:图;24cm

个人责任者:

刘保军, 1984- 著

个人责任者:

刘小强 著

个人责任者:

刘忠永 著

学科主题:

半导体器件-纳米材料

中图法分类号:

TN303

书目附注:

有书目

提要文摘附注:

本书主要介绍辐射效应对纳米CMOS器件及其电路的影响，涵盖了各种辐射环境分析、电离损伤机理研究、纳米器件的总剂量效应和单粒子效应的建模仿真、辐射效应对纳米CMOS电路的影响等内容，综合考虑了器件特征尺寸缩减对辐射效应的影响，给出了纳电子器件及其电路的辐射效应的分析方法和思路。此外，本书还讨论了高k栅介质对纳米CMOS器件的辐射效应的影响、新兴纳米FinFET及纳米线的辐射效应、器件级加固技术，给出了单粒子串扰的建模方法及数字电路在单粒子效应下的软错误率评估方法。

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