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题名/责任者:

掺杂ZnO和In2O3电子结构和光学性质的第一性原理及实验研究/白丽娜著

出版发行项:

哈尔滨:黑龙江大学出版社,2021.6

ISBN及定价:

978-7-5686-0538-0/CNY38.00

载体形态项:

200页;24cm

个人责任者:

白丽娜 著

学科主题:

氧化物半导体－电子结构－研究

学科主题:

氧化物半导体－光学性质－研究

中图法分类号:

TN304.2

提要文摘附注:

透明导电氧化物薄膜 (TCO) 由于其优异的性能, 成为科研和工业上的重点研究课题。但是, 本征TCO材料性能的单一性已经成为了限制其扩展应用的主要问题, 因此急需寻求新的替代材料。目前, 掺杂改性是扩展本征材料性能的主要手段之一。本书对In2O3和ZnO基半导体氧化物的掺杂改性开展系列理论研究工作, 研究内容主要包括三方面: 如何通过调整本征缺陷的含量进一步提高ZnO的光学和催化性能; 对ZnO进行掺杂改性, 研究Cd、Mg、Ca、Y等元素掺杂对体系电子结构和光学性质的影响; 研究如何进一步提高In2O3的光电特性。

使用对象附注:

掺杂ZnO和In2O3电子结构和光学性质的第一性原理及实验研究者

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