杭州电子科技大学图书馆书目检索系统

Online Public Access Catalogue

题名/责任者:

新型SOI MOSFET器件/辛艳辉著

出版发行项:

北京:电子工业出版社,2018.2

ISBN及定价:

978-7-121-32731-5/CNY28.00

载体形态项:

xvi, 146页:图;24cm

并列正题名:

Novel SOI MOSFET device

个人责任者:

辛艳辉 著

学科主题:

SOI结构-集成电路

中图法分类号:

TN431.1

书目附注:

有书目 (第125-146页) 和索引

提要文摘附注:

本书共6章: 绪论; 应变硅SOI技术及短沟道SOI MOSFET基础理论; 单Halo全耗尽应变Si SOL MOSFET性能分析; 新型双栅应变Si SOI MOSFETT性能分析; 非对称Halo异质栅应变Si SOI MOSFET性能分析; 结论和展望。

使用对象附注:

本书可作为微电子类、电子科学与技术类、材料类等相关专业的研究生的专业参考书籍, 也可供相关专业的教师、研究生、本科生及科技工作者参考

豆瓣简介：