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题名/责任者:

垂直型GaN和SiC功率器件/(日) 望月和浩著 黄锋 ... [等] 译

出版发行项:

北京:机械工业出版社,2022

ISBN及定价:

978-7-111-70502-4/CNY99.00

载体形态项:

xii, 217页:图;24cm

并列正题名:

Vertical GaN and SiC power devices

丛编项:

半导体与集成电路关键技术丛书

个人责任者:

望月和浩 著

个人次要责任者:

黄锋 译

个人次要责任者:

段宝兴 译

学科主题:

功率半导体器件

中图法分类号:

TN303

题名责任附注:

题名页题: 黄锋, 段宝兴, 柏松, 万成安, 赵小宁等译

出版发行附注:

本书由Artech House授权机械工业出版社在中国大陆地区 (不包括香港、澳门特别行政区及台湾地区) 出版与发行

责任者附注:

望月和浩, 1986年获得学士学位, 1988年获得硕士学位, 1995年获得日本东京大学电子工程专业博士学位。

书目附注:

有书目

提要文摘附注:

近年来, 以氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等宽禁带半导体化合物为代表的第三代半导体材料引发全球瞩目。第三代半导体材料广泛应用于新一代移动通信、新能源汽车、物联网和国防电子等产业, 已成为国际半导体领域的重点研究方向。本书主要介绍垂直型GaN和SiC功率器件的材料、工艺、特性和可靠性等相关技术, 内容涵盖垂直型和横向功率半导体器件的比较, GaN和SiC的物理性质、外延生长、制备工艺, 主要器件结构与特性, 以及垂直型GaN和SiC器件的可靠性研究等。

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