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题名/责任者:

宽禁带半导体高频及微波功率器件与电路/赵正平等著

出版发行项:

北京:国防工业出版社,2017

ISBN及定价:

978-7-118-11454-6/CNY98.00

载体形态项:

22, 291页:图;24cm

并列正题名:

Wide bandgap semiconductor and microwave power devices with circuits

丛编项:

雷达与探测前沿技术丛书

个人责任者:

赵正平 著

学科主题:

禁带-微波半导体器件-电路

中图法分类号:

TN385

一般附注:

国家出版基金项目 “十二五”国家重点出版规划项目

责任者附注:

赵正平，男，江苏扬州人，研究员级高工，1982年获得南京工学院电子工程系半导体物理与器件专业工学硕士学位。现任中国电子科技集团公司集团科技委副主任，中国航空工业集团公司外部董事。

书目附注:

有书目

提要文摘附注:

本书重点介绍了SiC和GaN宽禁带半导体高频开关和微波功率器件与电路的最新进展与实用制备技术。全书共5章：第1章介绍电力电子和固态微波器件的发展及其在雷达领域的应用；第2章介绍SiC和GaN宽禁带半导体材料等。

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