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MARC状态:审校 文献类型:中文图书 浏览次数:95

题名/责任者:
氧化镓半导体器件/龙世兵, 叶建东, 吕元杰著
出版发行项:
西安:西安电子科技大学出版社,2022
ISBN及定价:
978-7-5606-6430-9 精装/CNY128.00
载体形态项:
396页, [4] 页图版:图 (部分彩图);25cm
并列正题名:
Gallium oxide semiconductor devices
丛编项:
宽禁带半导体前沿丛书
个人责任者:
龙世兵
个人责任者:
叶建东
个人责任者:
吕元杰
学科主题:
氧化镓-半导体器件
中图法分类号:
TN303
一般附注:
国家出版基金项目
提要文摘附注:
本书共分为7章,第1-4章(氧化镓材料部分)介绍了氧化镓半导体材料的基本结构,单晶生长和薄膜外延方法,电学特性,氧化镓材料与金属、其他半导体的接触,氧化镓材料的刻蚀、离子注入、缺陷修复等内容;第5-7章(氧化镓器件部分)介绍了氧化镓二极管器件的应用方向、器件类型及其发展历程,氧化镓场效应晶体管的工作原理、性能指标、器件类型、发展历程以及今后的发展方向,氧化镓日盲深紫外光电探测器的工作原理、器件类型、成像技术等。
全部MARC细节信息>>
索书号 条码号 年卷期 馆藏地 书刊状态 还书位置
TN303/447 60269604   临安自科(N-Z)(2F)(信息工程学院)     可借 现代技术部(1F)
TN303/447 60269605   临安自科(N-Z)(2F)(信息工程学院)     可借 临安自科(N-Z)(2F)(信息工程学院)
TN303/447 72561041   自然书库(3F东)     可借 自然书库(3F东)
TN303/447 72561042   自然书库(3F东)     可借 自然书库(3F东)
TN303/447 72561043   自然书库(3F东)     借出-应还日期:2024-12-23 自然书库(3F东)
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