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MARC状态:审校 文献类型:中文图书 浏览次数:108

题名/责任者:
微电子器件/陈星弼, 张庆中, 陈勇编著
版本说明:
第3版
出版发行项:
北京:电子工业出版社,2011
ISBN及定价:
978-7-121-12809-7/CNY45.00
载体形态项:
304页:图;26cm
丛编项:
电子科学与技术专业规划教材
个人责任者:
陈星弼 编著
个人责任者:
张庆中 编著
个人责任者:
陈勇 编著
学科主题:
微电子技术-电子器件-高等学校-教材
中图法分类号:
TN4
一般附注:
普通高等教育“十一五”国家级规划教材
书目附注:
有书目
提要文摘附注:
本书首先介绍半导体器件基本方程。在此基础上,全面系统地介绍PN结二极管、双极结型晶体管(BJT)和绝缘栅场效应晶体管(MOSFET)的基本结构、基本原理、工作特性和SPICE模型。本书还介绍了主要包括HEMT和HBT的异质结器件。书中提供大量习题,便于读者巩固及加深对所学知识的理解。
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