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题名/责任者:

宽禁带半导体电子材料与器件/沈波, 唐宁编著

出版发行项:

北京:科学出版社,2021

ISBN及定价:

978-7-03-067440-1/CNY150.00

载体形态项:

xi, 316页:图;24cm

并列正题名:

Electronic materials and devices of wide band gap semiconductors

丛编项:

先进功能材料丛书

个人责任者:

沈波 编著

个人责任者:

唐宁 编著

学科主题:

禁带-半导体材料

学科主题:

禁带-电子器件

中图法分类号:

TN304

相关题名附注:

英文并列题名取自封面

书目附注:

有书目

提要文摘附注:

本书介绍了Ⅲ族氮化物、SiC、金刚石和Ga2O3四种最重要的宽禁带半导体电子材料和器件，从晶体结构、能带结构、衬底材料、外延生长、射频电子器件和功率电子器件等方面论述了其基础物理性质、面临的关键科学技术问题、国内外前沿研究成果和应用前景。

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