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题名/责任者:

CMOS芯片结构与制造技术/潘桂忠编著

出版发行项:

北京:电子工业出版社,2021

ISBN及定价:

978-7-121-42500-4/CNY158.00

载体形态项:

xv, 358页:图;26cm

并列正题名:

Complementary metal oxide semiconductor

丛编项:

集成电路基础与实践技术丛书

个人责任者:

潘桂忠 编著

学科主题:

CMOS电路-芯片-生产工艺

中图法分类号:

TN430.5

一般附注:

工信学术出版基金

相关题名附注:

英文并列题名取自封面

责任者附注:

潘桂忠, 1959年毕业于南京大学物理学系半导体物理专业, 高级工程师, 研究生导师, 贝岭微电子公司原技术工程部经理。

书目附注:

有书目

提要文摘附注:

本书从CMOS芯片结构技术出发, 系统地介绍了微米﹑亚微米﹑深亚微米及纳米CMOS制造技术, 内容包括单阱CMOS﹑双阱CMOS﹑LV/HV兼容CMOS﹑BiCMOS﹑LV/HV兼容BiCMOS, 以及LV/HV兼容BCD制造技术。全书各章都采用由CMOS芯片主要元器件﹑制造技术及主要参数所组成的综合表, 从芯片结构出发, 利用计算机和它所提供的软件, 描绘出芯片制造的各工序剖面结构, 从而得到制程剖面结构。书中给出了100种典型CMOS芯片结构, 介绍了各种典型制造技术, 并描绘出50种制程剖面结构。深入地了解芯片制程剖面结构, 对于电路设计﹑芯片制造﹑良率提升﹑产品质量提高及电路失效分析等都是十分重要的。

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