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Online Public Access Catalogue

题名/责任者:

硅基高k氧化物锶硅界面缓冲层的研究/杜文汉著

出版发行项:

镇江:江苏大学出版社,2018

ISBN及定价:

978-7-5684-1030-4/CNY35.00

载体形态项:

123页:图;22cm

并列正题名:

Investigation on the interface and surface reconstruction of bufferlayer of high k oxide on silicon surface

丛编项:

新材料研究系列丛书

个人责任者:

杜文汉 著

学科主题:

固体物理学-研究

中图法分类号:

O48

出版发行附注:

由江苏高校品牌专业建设工程资助项目(TAPP，PPZY2015B129) “十三五”江苏省重点学科项目－电气工程重点建设学科、2016度江苏省高校重点实验室建设项目－特种电机研究与应用重点建设实验室、常州市智能感知与无人机应用技术研究重点实验室(CM20173003)、常州市新能源材料国际联合实验室(CZ20180015)、常州工学院自然科学基金项目(YN1710)、江苏省产学研合作项目(BY2018150)资助出版

书目附注:

有书目 (第113-123页)

提要文摘附注:

本书借助STM这个可以提供原子尺度结构和电子态的有力工具，对Sr/Si体系进行了研究，主要分为以下3个部分：Si(100)衬底上的Sr/Si再构；Si(111)衬底上的Sr/Si再构；超薄SrTiO3膜的高温晶化。

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