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题名/责任者:

极紫外光刻/(美) 哈利·杰·莱文森著 高伟民译

出版发行项:

上海:上海科学技术出版社,2022

ISBN及定价:

978-7-5478-5721-2/CNY128.00

载体形态项:

206页, [4] 页图版:图 (部分彩图);24cm

统一题名:

Extreme ultraviolet lithography

个人责任者:

莱文森 (Levinson, Harry J.) 著

个人次要责任者:

高伟民 译

学科主题:

紫外线-光刻系统-研究

中图法分类号:

TN305.7

责任者附注:

哈利·杰·莱文森, 国际光学工程学会 (SPIE) 会士, HJLLithography的独立光刻顾问和首席光刻师, 专注于光刻领域多年。高伟民以, 阿斯麦公司 (ASML) 中国区技术总监, 资深的光刻技术专家。获浙江大学光学工程学士学位和比利时鲁汶大学物理学硕士、博士学位。

书目附注:

有书目和索引

提要文摘附注:

本书是一本论述极紫外光刻 (extreme ultraviolet lithography, EUV) 技术的最新专著。该书全面而又精炼地介绍了极紫外光刻技术的各个方面及其发展历程, 不仅涵盖极紫外光源、极紫外光刻曝光系统、极紫外掩模板、极紫外光刻胶、极紫外计算光刻等方面, 还介绍了极紫外光刻生态系统的其他方面, 如极紫外光刻工艺特点和工艺控制、极紫外光刻量测的特殊要求, 以及对技术发展路径有着重要影响的极紫外光刻的成本分析等内容。最后, 本书还对满足未来芯片工艺节点要求的极紫外光刻技术的发展方向进行了探讨。

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